摘 要：针对传统Brokaw型带隙基准电路在宽温域环境下温度漂移较大以及无运放架构固有的电源抑制性能受限等问题，基于东部高科0.18 μm BCD工艺，提出了一种高电源抑制低温漂的带隙基准电路。电路采用分段温度补偿技术（试读）...
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