摘要：针对神经形态硬件对低功耗、低成本制造的迫切需求，采用低温水热法在Si/SiO2衬底上制备出垂直取向ZnO纳米线阵列。XRD、SEM与PL光谱表征证实，该阵列具备优异的c轴择优取向，同时富含深能级氧空位缺陷。借助氧空（试读）...
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