摘要：针对锗（Ge）化学机械抛光（CMP）过程中高去除速率（RR）与低静态腐蚀速率（SER）难以兼顾的问题，在pH=9.8的硅溶胶-双氧水体系抛光液中引入阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸（DBSA），系统研究其对Ge的RR和SER（试读）...
登录
